1 | Atomun yapısı, enerji bantları ve elektron hareketleri | [1]:1-23; [2]:1-7; [3]:1-14. |
2 | Yarıiletkenler | [1]:53-78; [2]:7-10; [3]:5-14; [4]:190-196. |
3 | PN jonksiyonu ve yarıiletken diyot | [1]:79-105; [2]:10-58; [3]:14-44; [4]:196-209, |
4 | Diyot uygulamaları ve diyot çeşitleri | [1]:105-113; [2]:59-130; [3]:45-105; [4]:139-190, 209-234 |
5 | Diyot uygulamaları ve diyot çeşitleri | [1]:105-113; [2]:59-130; [3]:45-105; [4]:139-190, 209-234 |
6 | BJT nin fiziksel yapısı, çalışma bölgeleri, karakteristikleri | [1]:115-149; [2]:131-160; [3]:163-215; [4]:377-421. |
7 | BJT li devrelerin kutuplaması | [1]:187-204; [2]:161-245; [3]:216--255; [4]:421-442. |
8 | JFET in fiziksel yapısı, çalışma bölgeleri, karakteristikleri | [1]:151-162; [2]:365-385; [3]:368-381. |
9 | MOSFET in fiziksel yapısı, çalışma bölgeleri, karakteristikleri | [1]:162-170; [2]:385-411; [3]:396-404; [4]:235-262. |
10 | FET li devrelerin kutuplaması; BJT li ve FET li çok katlı kuvvetlendiricilerin kutuplanması | [1]:204-217; [2]:412-471; [3]:381-396,404-435; [4]:262-287. |
11 | BJT küçük işaret analizi (AC Analizi), eşdeğer devre modelleri ve tek katlı BJT kuvvetlendiriciler | [1]:219-247; [2]:246-294; [3]:256-285; [4]:443-485. |
12 | BJT küçük işaret analizi (AC Analizi), eşdeğer devre modelleri ve tek katlı BJT kuvvetlendiriciler | [1]:219-247; [2]:246-294; [3]:256-285; [4]:443-485. |
13 | FET küçük işaret analizi (AC Analizi), eşdeğer devre modelleri ve tek katlı FET kuvvetlendiriciler | [1]:247-255; [2]:472-510; [3]:436-459; [4]:287-320. |
14 | FET küçük işaret analizi (AC Analizi), eşdeğer devre modelleri ve tek katlı FET kuvvetlendiriciler | [1]:247-255; [2]:472-510; [3]:436-459; [4]:287-320. |